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0150-30267应用材料线渠道商介绍应用材料推出新存储器量产技术：

美商应材公司（Applied Materials）因应物联网（IoT）和云端运算所需的新存储器技术，日前宣布推出创新、用于大量制造的处理计划，有利于加快产业采用新存储器技术的速度。

现今的大容量存储器技术包括DRAM、SRAM和快闪存储器，这些技术是在数十年前创造，已广为数字设备与系统所采用。新型存储器中，包括MRAM、ReRAM与PCRAM等将提供共同的优点。但是，这些存储器所采用的新资料，为大量消费带来了相当水平的应战。

因而，应材公司日前率先推出新的制造系统，可以以原子级的精准度，停止新式资料的堆积，而这些新资料将会是消费前述新型存储器的关键。这是应材公司推出了该公司迄今为止所开发过**进的系统，让这些新型存储器可以以工业级的范围稳定消费。

应材公司表示，当前的电脑产业正在建构物联网架构，其中，将会有数百亿个安装内建传感器、运算与通讯功用，用来监控环境、做决策和传送重要资讯到云端材料中心。在贮存物联网安装的软件与AI演算法方面，新世代的MRAM（磁性随机存取存储器）是贮存用存储器的**之一。

MRAM采用硬盘机中常见的精致磁性资料，藉由MRAM自身快速且非挥发性的性能，就算在失去电力的状况下，也能保管软件和材料。而由于MRAM速度快，加上元件容忍度高，MRAM最终可能做为第3级快取存储器中SRAM的替代产品。MRAM能够整合于物联网芯片设计的后端互连层中，进而达成更小的晶粒尺寸，并降低本钱。

而关于MRAM的开展，应材公司的新Endura Clover MRAM物**相堆积（PVD）平台，是由9个共同的晶圆处置反响室组成，全都是在纯洁、高真空的状况下完成整合。这是业界**个大量消费用的300 mm MRAM系统，每个反响室可个别堆积最多5种不同的资料。

应材公司也强调，由于MRAM存储器需经过至少30种不同资料层的精细堆积制程。其中，某些资料层可能比人类的头发还细微50万倍。因而，在制程中即便是厚薄度只要原子直径一丁点的差别，就会对安装的效能与牢靠性形成极大的影响。而Clover MRAM PVD平台包括内建量测功用，能够用次埃级（sub-angstrom）的灵活度，在MRAM层产生时丈量和监控其厚度，以确保原子层级的平均性，同时免除了暴露于外部环境的风险。

另外，随着材料量产生呈现遽增的状况，云端材料中心也需求针对连结效劳器和贮存系统的材料途径，达成这些途径在速度与耗电量方面的效能提升。对此，由于新一代的ReRAM（电阻式随机存取存储器）与PCRAM（相变随机存取存储器）具备快速、非挥发性、低功率的高密度存储器的特性。能够成为“贮存级存储器”，以填补效劳器DRAM与贮存存储器之间，不时扩展的价钱与性能落差。

而关于将来ReRAM及PCRAM的需求，应材公司采用新资料制程。应材公司解释，其资料的作用相似于保险丝，可在数十亿个贮存单元内选择性地构成灯丝，以表示材料。对照之下，PCRAM则式采用DVD光碟片中可找到的相变资料，并藉由将资料的状态从非晶态变成晶态的做法，停止位元的编程，相似于3D NAND Flash快闪存储器的架构。

而ReRAM和PCRAM是以3D构造排列，存储器制造商能够在每一代的产品中参加更多层，以稳健地降低贮存本钱。ReRAM与PCRAM也提供编程与电阻率中间阶段的可能性，让每个贮存单元能够贮存多个位元的材料。相较于DRAM，ReRAM及PCRAM皆承诺将来可大幅降低本钱，而且读取效能也比3D NAND Flash快闪存储器和硬碟机快上许多。ReRAM能将运算元件整合于存储器阵列中，以辅佐克制AI运算相关的材料挪动瓶颈状况下，也是将来存储器内运算架构的首要候选技术。

对此，应用资料的Endura Impulse物**相堆积（PVD）平台适用于PCRAM与ReRAM，包含最多9个在真空下停止整合的处置反响室及内建量测功用，可以以精细的方式停止堆积，以及控制这些新型存储器中所运用的多成分资料。



资讯来源：汕头罗克自动化