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射频电源。也就是我们常说的RF电源，通常用的是13.56MHz频率的电源，当然还有其他频段，比如27M，40M等。射频电源，常用于绝缘靶材的沉积，如Al2O3或者SiO2靶材，膜层致密但沉积速率慢。

射频电源在使用过程中，尤其要注意屏蔽和接地问题，同时关键技术在于阻抗匹配。这些我们会在后续的文章里进行讨论。本次主要探讨射频电源里的一个重要概念，自偏压self bias voltage。

我们知道，射频电源的输出为一个高频余弦波，所以加载在靶材上的电场也是个完整的余弦波，也就是正半周期和负半周期完全对称。

正半周期，电子在电场的作用下向靶材移动；负半周期，正离子向靶材移动。他们收到的电场力是相同。但是，由于电子要远远轻于正离子，也就产生了移动速度不一致的情况，最终导致在相同的两个半周期内，靶材收集的电子和正离子数量不一样。由于靶材是绝缘的，或者导电性不好的，靶面积累的电荷也就成为可能。如此最终达到一种平衡状态，也就相当于在靶材表面增加了一个直流偏压。这也就是射频电源自偏压概念的来源。

自偏压是一个自发形成的电压，它的大小跟等离子体的密度和能量分布相关，还和接触等离子体的阴阳极面积相关。

自偏压的大小直接影响膜层的生长以及正离子的轰击能量，需要我们做工艺的时候多多注意。
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