CRESTEC电子束曝光
电子束光刻系统 EBL (E-Beam Lithography)
电子束直写系统 、 电子束曝光系统
CABL-9000C series
30kV、50kV、90kV、110kV、130kV
2inch、4inch、6inch、8inch、定制尺寸
纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用,而电子束光刻在纳米光刻技术制作中是**的方法之一。日本CRESTEC公司为21世纪先进纳米科技提供** 的电子束纳米光刻(EBL)系统,或称电子束直写(EBD)、电子束爆光系统。
型号包括CABL-9000C系列、CABL-9000TF系列、8000TF系列、CABL-4200LB及CABL-4200LB。其中CABL-9000C系列*小线宽可达8nm,CRESTEC电子束曝光
,*小束斑直径2nm,套刻精度 20nm(mean 2σ),拼接精度 20nm(mean 2σ)。
技术参数:
1.*小线宽:小于10nm(可实现8nm )
2.加速电压:5-50kV
3.电子束直径:小于2nm
4.套刻精度:20nm(mean 2σ)
5.拼接精度:20nm(mean 2σ)
6.加工晶圆尺寸:4-8英寸(standard),12英寸(option)
7.描电镜分辨率:小于2nm
主要特点:
1.采用高亮度和高稳定性的TFE电子枪
2.出色的电子束偏转控制技术
3.采用场尺寸调制技术,电子束定位分辨率(address size)可达0.0012nm
4.采用轴对称图形书写技纟术,图形偏角分辨率可达0.01mrad
5.应用领域广泛,如微纳器件加工,Si/GaAs 兼容工艺,欣源科技(北京)有限公司,欣源科技(北京),研究用掩膜制造,纳 米加工(例如单电子器件、量子器件制作等),高频电子器件中的混合光刻(Mix & Match),图形线宽和图形位移测量等。
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超高分辨率电子束光刻EBL
Ultrahigh Resolution EB Lithography (CABL-UH series)
纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用,而电子束光刻在纳米光刻技术制作中是**的方法之一。日本CRESTEC公司为21世纪先进纳米科技提供** 的电子束纳米光刻(EBL)廴系统,CRESTEC电子束曝光
,或称电子束直写(EBD)、电子束爆光系统。
超高分辨率的电子束光刻CABL-UH系列的型号包括:
CABL-UH90 (90keV) 、CABL-UH110 (110keV) 、CABL-UH130 (130keV)
技术参数:
加速电压:**130keV
单段加速能力达到130keV,尽量减少电子枪的长度
超短电子枪长度,无微放电
电子束直径<1.6nm
*小线宽<7nm
双热控制,实现超稳定直写能力
欣源科技SYNERCE**代理日本CRESTEC公司的电子束光刻系统,又称作电子束曝光、电子束直写、EBL、E-Beam Lithography等。
包括30kV、50kV、90kV、110kV、130kV
2inch、4inch、6inch、8inch、定制尺寸
如有任何需求和相关问题,敬请电话或邮件垂询。
.欣源科技(北京)///CRESTEC电子束曝光 |
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2.敏感的电子类产品的防雷一般有些措施?
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